Транзистор КТ315 – диво радянської електроніки. Bc847 аналог вітчизняний – кт315 транзистор Розпинування транзистора кт315

Мабуть, немає якогось більш менш складного електронного пристрою, виробленого в СРСР протягом сімдесятих, вісімдесятих і дев'яностих років, у схемі якого не використовувався б транзистор КТ315. Не втратив популярності він і досі.

У позначенні використана буква К, що означає «кремнієвий», як і більшість напівпровідникових приладів, що виготовляються з тих часів. Цифра "3" означає, що транзистор КТ315 відноситься до групи широкосмугових приладів невеликої потужності.

Пластиковий корпус не передбачав високої потужностіале був дешевий.

Випускався транзистор КТ315 у двох варіантах, плоскому (помаранчевий або жовтий) та циліндричному (чорний).

Для того, щоб зручніше було визначати, як його монтувати, на його «лицьовій» стороні в плоскій версії виконано скіс, колектор – у середині, база – ліворуч, колектор – праворуч.

Чорний транзистор мав плоский зріз, якщо розташувати транзистор їм до себе, то емітер виявлявся праворуч, колектор – ліворуч, а база – посередині.

Маркування складалося з літери, залежно від допустимої напруги живлення, від 15 до 60 Вольт. Від літери залежить і потужність, вона може досягати 150 мВт, і це при мікроскопічних на той час розмірах – ширина – сім, висота – шість, а товщина – менше трьох міліметрів.

Транзистор КТ315 – високочастотний, цим пояснюється широта його застосування. до 250 мГц гарантує його стійку роботу в радіосхемах приймачів та передавачів, а також підсилювачах діапазону.

Провідність – зворотна, n-p-n. Для пари при використанні двотактної схеми посилення створено КТ361 з прямою провідністю. Зовні ці "близнюки-брати" практично не відрізняються, тільки наявність двох чорних рисок вказує на p-n-p провідність. Ще варіант маркування, буква розташована точно посередині корпусу, а не з краю.

За всіх своїх переваг, транзистор КТ315 має і недолік. Його висновки плоскі, тонкі, дуже легко відламуються, тому монтаж слід проводити дуже обережно. Втім, навіть зіпсувавши деталь, багато радіоаматорів примудрялися полагодити її, підпиливши трохи корпус, і «присопивши» зволікання, хоча це і важко, та й сенсу особливого не було.

Корпус настільки своєрідний, що вказує на радянське походження КТ315. Аналог йому знайти можна, наприклад, ВС546В або 2N9014 – з імпорту, КТ503, КТ342 або КТ3102 – з наших транзисторів, але рекордна дешевизна позбавляє сенсу такі хитрощі.

Випущено мільярди КТ315, і, хоча в наш час існують мікросхеми, в яких вбудовані десятки і сотні таких напівпровідникових приладів, іноді їх все ж таки використовують для збирання нескладних допоміжних схем.

Позначення транзистора КТ315Б на схемах

на принципових схемахтранзистор позначається як буквеним кодом, і умовним графічним. Літерний кодскладається з латинських літер VT та цифри (порядкового номера на схемі). Умовне графічне позначення транзистора КТ315Б зазвичай поміщають у гурток, що символізує його корпус. Коротка рисочка з лінією від середини символізує базу, дві похилі лінії, проведені до країв під кутом 60°, - емітер і колектор. Емітер має стрілку, спрямовану від бази.

Характеристики транзистора КТ315Б

  • Структура n-p-n
  • Максимально допустима (імпульсна) напруга колектор-база 20 В
  • Максимально допустима (імпульсна) напруга колектор-емітер 20 В
  • Максимально допустимий постійний (імпульсний) струм колектора 100 мА
  • Максимально допустима постійна потужність колектора, що розсіюється, без тепловідведення (з тепловідведенням) 0.15 Вт
  • Статичний коефіцієнт передачі струму біполярного транзистора у схемі із загальним емітером 50-350
  • Зворотний струм колектора
  • Гранична частота коефіцієнта передачі струму у схемі із загальним емітером => 250 МГц

Аналоги транзистора КТ315Б

Транзистори серій КТ315 та КТ 361

Серія цих крем'яних транзисторів дуже популярна, починаючи з минулого століття і досі. Поміж іншого, у них дуже зручний корпус і висновки для поверхневого монтажу. Ці транзистори дуже потоваришували з мікроконтролерами і часто використовуються як буферні каскади між МК та периферією. Доступність і ціна цієї серії радують будь-якого радіоаматора, можна брати одразу відерами. Функції у радіосхемах цих транзисторів дуже різноманітні. Висока гранична частота дозволяє робити на них генератори до УКХ діапазону. У малопотужних звукових підсилювачах вони добре себе зарекомендували. Колір корпусу транзисторів може бути жовтий, зелений, червоний, інші мені не траплялися.

Тепер трохи докладніше про корпуси:
Як відрізнити КТ315 від КТ361? Як видно на корпусі, варто лише маркування останньої літери серії.
Тут є кілька способів: Перше це необхідно запам'ятати, що основа у цієї серії справа, а емітер зліва.

Транзистор КТ315Б

Якщо ви дивитесь на транзистор логотип і його ноги дивляться вниз. Тут найпростіше це вставити транзистор в мультиметр, де є перевірка транзисторів. 315 серія це n-p-n кристал, 361 серія p-n-pкристал.

Другий варіант це заміряти провідність переходів мультиметром (база-емітер, база-колектор).
КТ315 будуть телефонувати переходи з плюсом на базі, КТ361 з мінусом на базі.

Ну і останнє, це як я їх відрізняю: Все дуже просто у КТ315 буква логотипу зліва, а у КТ361 вона посередині.
Добре, пробіжимося електричними параметрами даних виробів вітчизняної електроніки.
Потужність - 150 мВт
Гранична частота - 100 МГц
Струм колектора-100 мА
Посилення - 20 - 250 (залежить від літери та розкиду параметрів при виготовленні)
У реалії транзистори однієї партії з логотипом «Е» показали розкид посилення від 57 до 186 для кт361 і 106 — 208 для кт 315.
Напруга колектор-емітер - 25в (а, б), 35в (в, г, д, е), 60в (ж, і).
Перевірити транзистори на справність нескладно. Тим самим мультиметром на режимі «продзвонювання» перевіряємо опір між емітером та колектором. В обидві сторони має бути обрив. Потім дзвонимо переходи від бази на емітер та від бази на колектор. При справному транзисторі обидва переходи (з урахуванням своєї полярності) мають показати приблизно однакові показники близько 500-600 Ом.

Довідка про аналоги високочастотного біполярного npn транзистора BC847C.

Ця сторінка містить інформацію про аналоги біполярного високочастотного npn транзистора BC847C.

Перед заміною транзистора на аналогічний, !ОБОВ'ЯЗКОВО! порівняйте параметри оригінального транзистора та запропонованого на сторінці аналога. Рішення про заміну приймайте після порівняння характеристик з урахуванням конкретної схеми застосування та режиму роботи приладу.

Можна спробувати замінити транзистор BC847C
транзистором 2N2222;
транзистором BC547C;
транзистором
транзистором FMMTA06;
транзистором

Колективний розум.

Додано користувачами:

дата запису: 2016-05-31 01:30:30

Додати аналог транзистора BC847C.

Ви знаєте аналог чи комплементарну парутранзистор BC847C?

КТ315: аналоги у світі

Додати. Поля, що позначені зірочкою, є обов'язковими для заповнення.

Зміст довідника транзисторів

Параметри польових транзисторів n-канальних.
Параметри польових транзисторів p-канальних.
Додати опис польового транзистора.

Параметри транзисторів низькочастотних біполярних npn.
Параметри транзисторів низькочастотних біполярних pnp.
Параметри транзисторів високочастотних біполярних npn.
Параметри транзисторів високочастотних біполярних pnp.
Параметри транзисторів біполярних надвисокочастотних npn.
Параметри транзисторів біполярних надвисокочастотних pnp.
Додати опис біполярного транзистора.

Параметри біполярних транзисторів із ізольованим затвором (БТІЗ, IGBT).
Додати опис біполярного транзистора із ізольованим затвором.

Пошук транзистора з маркування.
Пошук біполярного транзистора за основними параметрами.
Пошук польового транзистора за основними параметрами.
Пошук БТІЗ (IGBT) за основними параметрами.

Типорозміри корпусів транзисторів.
Магазини електронні компоненти.

Є надія, що довідник транзисторів виявиться корисним досвідченим і початківцям радіоаматорам, конструкторам та учням. Всім тим, хто так чи інакше стикається з необхідністю дізнатися більше про параметри транзисторів. Більше детальну інформаціюпро всі можливості цього інтернет-довідника можна прочитати на сторінці «Про сайт».
Якщо ви помітили помилку, величезне прохання написати листа.
Дякую за терпіння та співпрацю.

Транзистори КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

Транзистори КТ817, - Кремнієві, універсальні, потужні низькочастотні, структури - n-p-n.
Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, перетворювачах та імпульсних схемах.
Корпус пластмасовий, із гнучкими висновками.
Маса — близько 0,7 г. Маркування буквено — цифрове, на бічній поверхні корпусу, може бути двох типів.

Кодоване чотиризначне маркування в один рядок і некодоване — в два. Перший знак кодованого маркування КТ817 цифра 7, другий знак — буква, що означає клас. Два наступні знаки означають місяць і рік випуску. У некодованому маркуванні місяць і рік вказані у верхньому рядку. На малюнку нижче - цоколівка та маркування КТ817.

Найважливіші параметри.

Коефіцієнт передачі струмуу транзисторів КТ817А, КТ817Б, КТ817В 20 .
У транзистора КТ817Г - 15 .

Гранична частота коефіцієнта передачі струму3 МГц.

Максимальна напруга колектор – емітер.У транзистора КТ817А - 25 в.
У транзисторів КТ817Б - 45 в.
У транзистора КТ817В - 60 в.
У транзистора КТ817Г - 80 в.

Максимальний струм колектора.3 А. Потужність колектора, що розсіюється.1 Вт, без тепловідведення, 25 Вт - з тепловідведенням.

Напруга насичення база-емітер 1,5 в.

Напруга насичення колектор-емітерпри струмі колектора 3А, а бази 0,3А - не більше 0,6 в.

Зворотний струм колекторау транзисторів КТ817А при напрузі колектор-база 25 в, транзисторів КТ817Б при напрузі колектор-база 45 в, транзисторів КТ817В при напрузі колектор-база 60 в, транзисторів КТ817Г при напрузі колектор-база 100 в - 100 мкА.

Ємність колекторного переходупри напрузі колектор-база 10 в, на частоті 1МГц - не більше 60 пФ.

Місткість емітерного переходупри напрузі емітер-база 0,5 - 115 пФ.

Компліментарний(аналогічний за параметрами, але протилежної провідності) транзистор - КТ816.

Закордонні аналоги транзисторів КТ817.

КТ817А - TIP31A
КТ817Б - TIP31B
КТ817В - TIP31C
КТ817Г - 2N5192.

Транзистори – купити… або знайти безкоштовно.

Де зараз можна знайти радянські транзистори?
В основному тут два варіанти — або купити, або отримати безкоштовно, в ході розбирання старого електронного мотлоху.

Під час промислового колапсу початку 90-х утворилися досить значні запаси деяких електронних комплектуючих. Крім того, повністю виробництво вітчизняних електронних ніколи не припинялося і не припиняється досі. Це і пояснює той факт, що дуже багато деталей минулої епохи, все-таки можна купити. Якщо ж ні — завжди є більш-менш сучасні імпортні аналоги. Де і як найпростіше купити транзистори? Якщо вийшло так, що поблизу вас немає спеціалізованого магазину, то можна спробувати придбати необхідні деталі, замовивши їх поштою. Зробити це можна зайшовши на сайт-магазин, наприклад - "Гулівер".

Якщо ж у вас, є якась стара, непотрібна техніка - зламані телевізори, магнітофони, приймачі та інше.

Навігація за записами

т. д - можна спробувати видобути транзистори (та інші деталі) із нього.
Найпростіше ситуація з КТ315. У будь-якій промисловій та побутовій апаратурі і з середини 70-х років ХХ століття і закінчуючи початком 90-х його можна зустріти практично повсюдно.
КТ3102 можна знайти в попередніх каскадах підсилювачів магнітофонів - "Електроніка", "Вега", "Маяк", "Вільма" і. т.д.
КТ817 - у стабілізаторах блоків живлення тих же магнітофонів, іноді в кінцевих каскадах підсилювачів звуку (у магнітолах Вега РМ-238С, РМ338С і т.п)

На головну сторінку

15.04.2018

Кремнієві епітаксійно-планарні n-p-n транзисторитипу КТ315 та КТ315-1. Призначені для застосування в підсилювачах високої, проміжної та низької частоти, що безпосередньо застосовуються в радіоелектронній апаратурі, що виготовляється для техніки цивільного призначення та для постачання на експорт. Транзистори КТ315 та КТ315-1 випускаються у пластмасовому корпусі з гнучкими висновками. Транзистор КТ315 виготовляється у корпусі КТ-13. Після КТ315 став випускатися в корпусі КТ-26 (закордонний аналог TO92), транзистори в цьому корпусі отримали додаткову «1» в позначенні, наприклад КТ315Г1. Корпус надійно оберігає кристал транзистора від механічних та хімічних ушкоджень. Транзистори KT3I5H та КТ315Н1 призначені для застосування у кольоровому телебаченні. Транзистори KT315P та КТ315Р1 призначені для застосування у відеомагнітофоні «Електроніка – ВМ». Транзистори виготовляють у кліматичному виконанні УХЛ та в єдиному виконанні, придатному як для ручного, так і для автоматизованого збирання апаратури.

Транзистор КТ315 випускався підприємствами: "Електроприлад" м. Фрязіно, "Квазар" м. Київ, "Континент" м. Зеленодольськ, "Кварцит" м. Орджонікідзе, ВО "Елькор" Республіка Кабардино-Балкарія м. Нальчик, НДІВП м. Том ВО «Електроніка» м. Воронеж, 1970 р. їх виробництво також було передано до Польщі на підприємство Unitra CEMI.

В результаті переговорів у 1970 році Воронезьким об'єднанням «Електроніка» у плані співробітництва було передано до Польщі виробництво транзисторів КТ315. Для цього у Воронежі повністю демонтували цех, та у найкоротші терміни разом із запасом матеріалів та комплектуючих переправили, змонтували та запустили його у Варшаві. Цей науково-виробничий центр з електроніки, створений у 1970 році, був виробником напівпровідників у Польщі. Unitra CEMI зрештою збанкрутувала в 1990 році, залишивши польський ринок мікроелектроніки відкритим для іноземних компаній. Сайт музей підприємства Unitra CEMI: http://cemi.cba.pl/ . До кінця існування СРСР загальна кількість випущених транзисторів КТ315 перевищила 7 мільярдів.

Транзистор КТ315 випускається, до сьогодні рядом підприємств: ЗАТ «Кремній» м. Брянськ, СКБ «Елькор» Республіка Кабардино-Балкарія м. Нальчик, завод НДІПП м. Томськ. Транзистор КТ315-1 випускається: ЗАТ "Кремній" м. Брянськ, завод "Транзистор" Республіка Білорусь м. Мінськ, АТ "Елекс" м. Олександрів Володимирська область.

Приклад позначення транзисторів КТ315 під час замовлення та в конструкторській документації іншої продукції: «Транзистор КТ315А ЖК.365.200 ТУ/05», для транзисторів КТ315-1: «Транзистор КТ315А1 ЖК.365.200 ТУ/02».

Короткі технічні характеристики транзисторів КТ315 та КТ315-1 представлені у таблиці 1.

Таблиця 1 – Короткі технічні характеристики транзисторів КТ315 та КТ315-1

ТипСтруктураP До max,
P К * т. max ,
мВт
f гр,
МГц
U КБО max ,
U КЕР*max ,
У
U ЕБО max ,
У
I До max
мА
I КБО,
мкА
h 21е,
h 21Е*
C До,
пФ
r КЕ нас,
Ом
r б,
Ом
τ до,
пс
KT315A1n-p-n 150 ≥250 25 6 100 ≤0,5 20...90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Б1n-p-n 150 ≥250 20 6 100 ≤0,5 50...350 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315В1n-p-n 150 ≥250 40 6 100 ≤0,5 20...90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Г1n-p-n 150 ≥250 35 6 100 ≤0,5 50...350 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Д1n-p-n 150 ≥250 40 6 100 ≤0,5 20...90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Е1n-p-n 150 ≥250 35 6 100 ≤0,5 20...90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Ж1n-p-n 100 ≥250 15 6 100 ≤0,5 30...250 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315І1n-p-n 100 ≥250 60 6 100 ≤0,5 30 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Н1n-p-n 150 ≥250 20 6 100 ≤0,5 50...350 (10 В; 1 мА) ≤7
KT315Р1n-p-n 150 ≥250 35 6 100 ≤0,5 150...350 (10 В; 1 мА) ≤7
КТ315Аn-p-n 150 (250*) ≥250 25 6 100 ≤0,5 30...120* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
КТ315Бn-p-n 150 (250*) ≥250 20 6 100 ≤0,5 50...350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤500
КТ315Вn-p-n 150 (250*) ≥250 40 6 100 ≤0,5 30...120* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤500
КТ315Гn-p-n 150 (250*) ≥250 35 6 100 ≤0,5 50...350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤500
КТ315Дn-p-n 150 (250*) ≥250 40* (10к) 6 100 ≤0,6 20...90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤30 ≤40 ≤1000
КТ315Еn-p-n 150 (250*) ≥250 35* (10к) 6 100 ≤0,6 50...350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤30 ≤40 ≤1000
КТ315Жn-p-n 100 ≥250 20* (10к) 6 50 ≤0,6 30...250* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤25 ≤800
КТ315Іn-p-n 100 ≥250 60* (10к) 6 50 ≤0,6 ≥30* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤45 ≤950
КТ315Нn-p-n 150 ≥250 35* (10к) 6 100 ≤0,6 50...350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤5,5 ≤1000
КТ315Рn-p-n 150 ≥250 35* (10к) 6 100 ≤0,5 150...350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤500

Примітка:
1. I КБО – зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера, виміряний при U КБ = 10 В;
2. I До max – максимально допустимий постійний струм колектора;
3. U КBO max – пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера;
4. U ЕБO max – пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора;
5. U КЕР max – пробивна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база-емітер;
6. Р К.т max – постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням;
7. P До max – максимально допустима постійна потужність колектора, що розсіюється;
8. r б - опір бази;
9. r КЕ нас – опір насичення між колектором та емітером;
10. C К - ємність колекторного переходу, виміряна при U К = 10 В;
11. f гp - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми загальним емітером;
12. h 2lэ – коефіцієнт зворотний зв'язок по напрузі транзистора як мало сигналу для схем із загальним емітером і загальною базою відповідно;
13. h 2lЕ – для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу;
14. τ до - постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті.

Габарити транзистора КТ315

Тип корпусу транзистора КТ-13 Маса одного транзистора трохи більше 0,2 р. Величина сили, що розтягує 5 Н (0,5 кгс). Мінімальна відстань місця вигину виведення від корпусу – 1 мм (на малюнку позначено як L1). Температура паяння (235 ± 5) °С, відстань від корпусу до місця паяння 1 мм, тривалість паяння (2 ± 0,5) пн. Транзистори повинні витримувати вплив тепла, що виникає за температури паяння (260 ± 5) °С протягом 4 секунд. Висновки повинні зберігати паяність протягом 12 місяців з дати виготовлення за дотримання режимів та правил виконання паяння, зазначених у розділі «Вказівки щодо експлуатації». Транзистори стійкі до дії спирто-бензинової суміші (1:1). Транзистори КТ315 пожежобезпечні. Габаритні розміри транзистора КТ315 наведено малюнку 1.

Малюнок 1 – Маркування, цоколівка та габаритні розміри транзистора КТ315

Габарити транзистора КТ315-1

Тип корпусу транзистора КТ-26 Маса одного транзистора трохи більше 0,3 р. Мінімальна відстань місця вигину виведення корпусу – 2 мм (на малюнку позначено як L1). Температура паяння (235 ± 5) °С, відстань від корпусу до місця паяння не менше 2 мм, тривалість паяння (2 ± 0,5) пн. Транзистори КТ315-1 пожежобезпечні. Габаритні розміри транзистора КТ315-1 наведено малюнку 2.

Малюнок 2 – Маркування, цоколівка та габаритні розміри транзистора КТ315-1

Цоколівка транзисторів

Якщо розташувати транзистор КТ315 маркуванням від себе (як показано малюнку 1) висновками вниз, то лівий висновок це основа, центральний – колектор, а правий – емітер.

Якщо розташувати транзистор КТ315-1 навпаки маркуванням себе (як показано малюнку 2) висновками також вниз, то лівий висновок це емітер, центральний – колектор, а правий – база.

Маркування транзисторів

Транзистор КТ315. Тип транзистора вказується в етикетці, і навіть на корпусі приладу як букви вказувалася група. На корпусі вказується повна назва транзистора або лише літера, яка зсунута до лівого краю корпусу. Товарний знак заводу може не вказуватись. Дата випуску ставиться у цифровому або кодованому позначенні (при цьому можуть вказувати лише рік випуску). Крапка у складі маркування транзистора свідчить про його застосування – у складі кольорового телебачення. А старі (вироблені до 1971 року) транзистори КТ315 маркувалися літерою, що стоїть посередині корпусу. При цьому перші випуски маркувалися лише однією великою літерою, а приблизно 1971 року перейшли на звичну дворядкову. Приклад маркування транзистора КТ315 показаний малюнку 1. Слід також зазначити, що транзистор КТ315 був першим масовим транзистором з кодовою маркуванням в мініатюрному пластмасовому корпусі КТ-13. Переважна більшість транзистори КТ315 і КТ361 (характеристики такі ж, як у КТ315, а провідність p-n-p) було випущено в корпусах жовтого або червоно-жовтогарячого кольорів, значно рідше можна зустріти транзистори рожевого, зеленого і чорного кольорів. У маркування транзисторів призначених для продажу крім літери, що позначає групу, товарного знаку заводу та дати виготовлення входила і роздрібна ціна, наприклад, «ц20к», що означало ціна 20 копійок.

Транзистор КТ315-1. Тип транзистори також вказується в етикетці, а на корпусі вказується повна назва транзистора, а також транзистори можуть маркуватися кодовим знаком. Приклад маркування транзистора КТ315-1 наведено малюнку 2. Маркування транзистора кодовим знаком наведено у таблиці 2.

Таблиця 2 - Маркування транзистора КТ315-1 кодовим знаком

Тип транзистораМаркувальна мітка на зрізі
бічній поверхні корпусу
Маркувальна мітка
на торці корпусу
KT315A1Трикутник зеленого кольоруКрапка червоного кольору
KT315Б1Трикутник зеленого кольоруТочка жовтого кольору
KT315В1Трикутник зеленого кольоруКрапка зеленого кольору
KT315Г1Трикутник зеленого кольоруКрапка блакитного кольору
KT315Д1Трикутник зеленого кольоруТочка синього кольору
KT315Е1Трикутник зеленого кольоруКрапка білого кольору
KT315Ж1Трикутник зеленого кольоруДві точки червоного кольору
KT315І1Трикутник зеленого кольоруДві точки жовтого кольору
KT315Н1Трикутник зеленого кольоруДві точки зеленого кольору
KT315Р1Трикутник зеленого кольоруДві точки блакитного кольору

Вказівки щодо застосування та експлуатації транзисторів

Основне призначення транзисторів – робота у підсилювальних каскадах та інших схемах радіоелектронної апаратури. Допускається застосування транзисторів, виготовлених у звичайному кліматичному виконанні в апаратурі, призначеній для експлуатації у всіх кліматичних умовах, при покритті транзисторів безпосередньо в апаратурі лаками (3-4 шари) типу УР-231 за ТУ 6-21-14 або ЕП-730 по ГОСТ 20824 з наступним сушінням. Допустиме значення статичного потенціалу 500 В. Мінімально допустима відстань від корпусу до місця лудіння та паяння (по довжині виведення) 1 мм для транзистора КТ315 та 2 мм для транзистора КТ315-1. Кількість допустимих перепайок висновків під час проведення монтажних (складальних) операцій – одна.

Зовнішні фактори, що впливають

Механічні впливи групи 2 таблиця 1 в ГОСТ 11630, зокрема:
– синусоїдальна вібрація;
- Діапазон частот 1-2000 Гц;
- Амплітуда прискорення 100 м / с 2 (10g);
- Лінійне прискорення 1000 м/с 2 (100g).

Кліматичні впливи – за ГОСТ 11630, зокрема: підвищена робоча температура середовища 100 °С; знижена робоча температура середовища мінус 60 ° С; зміна температури середовища мінус 60 до 100 °С. Для транзисторів КТ315-1 зміна температури середовища мінус 45 до 100 °С

Надійність транзисторів

Інтенсивність відмов транзисторів протягом напрацювання понад 3×10 -7 1/год. Напрацювання транзисторів t н = 50 000 годин. 98-відсотковий термін зберігання транзисторів 12 років. Упаковка повинна забезпечити захист транзисторів від зарядів статичної електрики.

Закордонні аналоги транзистора КТ315

Зарубіжні аналоги транзистора КТ315 наведено у таблиці 3.

Таблиця 3 – Закордонні аналоги транзистора КТ315

Вітчизняний
транзистор
Зарубіжний
аналог
Підприємство
виробник
Країна
виробник
КТ315АBFP719Unitra CEMIПольща
КТ315БBFP720Unitra CEMIПольща
КТ315ВBFP721Unitra CEMIПольща
КТ315ГBFP722Unitra CEMIПольща
КТ315Д2SC641HitachiЯпонія
КТ315Е2N3397Central SemiconductorСША
КТ315Ж2N2711Sprague electric corp.США
BFY37, BFY37iITT Intermetall GmbHНімеччина
КТ315І2SC634New Jersey SemiconductorСША
SonyЯпонія
КТ315Н2SC633SonyЯпонія
КТ315РBFP722Unitra CEMIПольща

Закордонним зразком транзистори КТ315-1 є транзистори 2SC544, 2SC545, 2SC546 підприємство виробник Sanyo Electric, країна виробництва Японія.

Основні технічні характеристики

Основні електричні параметри транзисторів КТ315 при прийманні та поставці наведені в таблиці 4. Гранично-допустимі режими експлуатації транзистора наведені в таблиці 5. Вольт-амперні характеристики транзисторів КТ315 наведені на малюнках 3 – 8. Залежності електричних параметрів транзисторів малюнки 9 – 19.

Таблиця 4 – Електричні параметри транзисторів КТ315 під час приймання та постачання

Найменування параметра (режим виміру)
одиниці виміру
Літерне
позначення
Норма
параметра
Температура, °С
не меншене більше
Гранична напруга (IC = 10 мА), В
КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж, КТ315Н
КТ315В, КТ315Д, КТ315І
КТ315Г, КТ315Е, КТ315Р
U (CEO)
15
30
25
25

(IC = 20 мA, I B = 2 мА),
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Р
КТ315Д, КТ315Е
КТ315Ж
КТ315І
U CEsat

0,4
0,6
0,5
0,9

Напруга насичення колектор-емітер
(IC = 70 мA, I B = 3,5 мА), В КТ315Н
U CEsat 0,4
Напруга насичення база-емітер
(IC = 20 мА, I B = 2 мА), В
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТЗ I5P
КТ315Д, КТ315Е
КТ315Ж
КТ315І
U BEsat

1,0
1,1
0,9
1,35


КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р
КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КГ315І
I CBO
0,5
0,6
25, -60
Зворотний струм колектора (U CB =10 В), мкА
КТ3I5A КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р
КТ315Д, КТ315Е
I CBO
10
15
100
Зворотний струм емітера (U EB =5 В) мкА
КТ315А - КГ315Е, КТ315Ж, ХТ315Н
КТ315І
КТ315Р
I EBO
30
50
3
25
,
(R BE = 10 ком U CE = 25 В), мА, KT3I5A
(R BE = 10 ком U CE = 20 В), мА, КТ315Б, КТ315Н
(R BE = 10 ком U CE = 40 В), мА КТ315В
(R BE = 10 ком U CE = 35 В), мА, КТ315Г
(R BE = 10 ком U CE = 40 В), мА, КТ315Д
(R BE = 10 ком U CE = 35 В), мА, КТ315Е
I CER
0,6
0,6
0,6
0,6
1,0
1,0
0,005

(R BE = 10 ком U CE = 35 В), мА, КТ315Р
I CER 0,01 100
Зворотний струм колектор-емітер
(U CE = 20 В), мА, КТ315Ж
(U CE = 60 В), мА, КТ315І
I CES
0,01
0,1
25, -60
Зворотний струм колектор-емітер
(U CE = 20 В), мА, KT3I5Ж
(U CE = 60 В), мА, KT3I5І
I CES
0,1
0,2
100

(UCB = 10 В, I E = 1 мА)
КТ315А, KT3I5B
КТ315Д
КТ315Ж
КТ315І
КТ315Р
h 21E

30
50
20
30
30
150

120
350
90
250

350

25
Статичний коефіцієнт передачі струму
(UCB = 10 В, I E = 1 мА)
КТ315А, KT3I5B

КТ315Д
КТ315Ж
КТ315І
КТ315Р
h 21E

30
50
20
30
30
150

250
700
250
400

700

100
Статичний коефіцієнт передачі струму
(UCB = 10 В, I E = 1 мА)
КТ315А, KT3I5B
КТЗ15Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н
КТ315Д
КТ315Ж
КТ315І
КТ315Р
h 21E

5
15
5
5
5
70

120
350
90
250

350

-60
Модуль коефіцієнта передачі струму
на високій частоті (U CB = 10 В, IE = 5 мА, f = 100 МГц)
|h 21E | 2,5 25
Ємність колекторного переходу
(UCB = 10 В, f = 10 МГц), пФ
C C 7 25

Таблиця 5 - Гранично-допустимі режими експлуатації транзистора КТ315

Параметр,
одиниця виміру
ПозначенняНорма параметра
КГ315АКГ315БКГ315ВКГ315ГКТЗ15ДКГ315ЕКГ315ЖКГ315ІКТ315НКТ315Р
Макс. допустима постійна напруга колектор-емітер, (R BE = 10 кОм), В 1)U CERmax 25 20 40 35 40 35 20 35
Макс. допустима постійна напруга колектор-емітер при короткому замиканні в ланцюгу емітер-база, 1)U CES max 20 60
Макс. допустима постійна напруга колектор-база, 1)U CB max 25 20 40 35 40 35 20 35
Макс. допустима постійна напруга емітер-база, 1)U EB max 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6
Макс. допустимий постійний струм колектора, ма 1)I C max 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100
Макс. допустима постійна потужність колектора, що розсіюється, мВт 2)P C max 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200
Макс. допустима температура переходу, ⁰Сt j max 125 125 125 125 125 125 125 125 125 125

Примітка:
1. Для всього діапазону робочих температур.
2. При t атв від мінус 60 до 25 °С. При підвищенні температури більше 25 ° С P C max розраховується за формулою:

де R t hjα - загальне тепловий опірперехід-довкілля, що дорівнює 0,5 ° С/мВт.

Рисунок 3 – Типова вхідна характеристика транзисторів КТ315А – КТ315І, КТ315Н, КТ315Р
Рисунок 4 – Типова вхідна характеристика транзисторів КТ315А – КТ315І, КТ315Н, КТ315Р
при U CE = 0, t атв = (25±10) °С Малюнок 5 – Типові вихідні характеристики транзисторів типу КТ315А, КТ315В, КТ315Д, КТ315І
при t атв = (25±10) °С Малюнок 6 – Типові вихідні характеристики транзисторів типу КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н
при t атв = (25±10) °С Рисунок 7 – Типові вихідні характеристики
транзистора КТ315Ж при t атв = (25±10) °С Рисунок 8 – Типові вихідні характеристики
транзистора КТ315Р при t атв = (25±10) °С Рисунок 9 – Залежність напруги насичення колектор-емітер від постійного струмуколектора для транзисторів типу КТ315А - КТ315І, КТ315Н, КТ315Р при I C / I B = 10,
t атв = (25±10) °С Рисунок 10 – Залежність напруги насичення база-емітер від постійного струму колектора для транзисторів типу КТ315А – КТ315І, КТ315Н, КТ315Р при IC/I B = 10, t ат = (25±10) °С Рисунок 11 – Залежність статичного коефіцієнта передачі струму від постійного струму емітера для транзисторів КТ315А, КТ315В, КТ315Д, КТ315І при U CB = 10,
t атв = (25±10) °С Рисунок 12 – Залежність статичного коефіцієнта передачі струму від постійного струму емітера для транзисторів КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н при UCB = 10,
t атв = (25±10) °С Рисунок 13 – Залежність статичного коефіцієнта передачі струму від постійного струму емітера для транзистора КТ315Ж при U CB = 10, t атв = (25±10) °С Рисунок 14 – Залежність статичного коефіцієнта передачі струму від постійного струму емітера для транзистора КТ315Р при U CB = 10, t атв = (25±10) °С Рисунок 15 – Залежність модуля коефіцієнта передачі струму за високою частотою від постійного струму емітера при U CB = 10, f = 100 МГц, t атв = (25±10) °С Рисунок 16 – Залежність постійного часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті від напруги колектор-база при IE = 5 мА, t ат = (25±10) °С для КТ315А Рисунок 17 – Залежність постійного часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті від напруги колектор-база при IE = 5 мА, t ат = (25±10) °С для КТ315Е, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р Рисунок 18 – Залежність постійного часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті від струму емітера при U CB = 10 В, f = 5 МГц, t атв = (25±10) °С для
КТ315А

Це справжня легенда у світі радіоелектроніки! Транзистор КТ315 був розроблений у Радянському Союзі та десятиліттями утримував пальму першості серед подібних технологій. Чому він заслужив на таке визнання?

Транзистор КТ315

Що можна сказати про цю легенду? КТ315 є високочастотним кремнієвим біполярним транзистором малої потужності. У нього n-р-n-провідність. Виготовляється він у корпусі КТ-13. Завдяки своїй універсальності набув найширшого поширення в радіоелектронній апаратурі радянського виробництва. Який є аналог транзистора КТ315? Їх досить багато: BC847B, BFP722, 2SC634, 2SC641, 2SC380, 2SC388, BC546, КТ3102.

Розробка

Вперше ідея про створення такого пристрою у радянських вчених та інженерів виникла 1966 року. Оскільки він створювався, щоб у подальшому втілити його у масове виробництво, то розробка і самого транзистора, і обладнання для його виготовлення була доручена Науково-дослідному інституту «Пульсар», напівпровідниковому Фрязінському заводу та ОКБ, розміщеному на його території. 1967 йшла активна підготовка та створення умов. А 1968 р. випустили перші електронні пристрої, які зараз відомі як транзистор КТ315. Він став першим подібним масовим приладом. Маркування транзисторів КТ315 таке: спочатку у лівому верхньому куті плоскої сторони ставили букву, що позначала групу. Деколи вказували і дату виготовлення. Через кілька років у цьому корпусі розпочали випуск комплементарних транзисторів КТ361 з р-n-р-провідністю. Для відмінності у них посередині верхньої частини ставили позначку. За розробку транзистора КТ315 у 1973 році було присуджено Державну премію СРСР.

Технологія


Коли почав випускатися транзистор КТ315, була випробувана одночасно нова технологія- Планарно-епітаксіальна. Вона має на увазі, що всі структури пристрою створюються на одній стороні. Які вимоги має транзистор КТ315? Параметри вихідного матеріалуповинні мати тип провідності як у колектора. А для початку здійснюється формування базової області, і лише потім – емітерної. Ця технологія була дуже важливою віхою розвитку радянської радіоелектронної промисловості, оскільки дозволила наблизитися до виготовлення інтегральних мікросхем без використання діелектричної підкладки. Поки що не з'явився даний прилад, низькочастотні пристрої виготовлялися за сплавною методикою, а високочастотні - згідно з дифузійною.

Можна впевнено сказати, що параметри, якими володів завершений пристрій, були справжнім проривом свого часу. Чому так говорять про транзистор КТ315? Параметри – ось через що про нього так говорили! Так, якщо порівнювати його з сучасним йому німецьким високочастотним транзистором ГТ308, то він перевищує його за потужністю в 1,5 рази. Гранична частота більша ніж у 2 рази, а максимальний струм колектора взагалі у 3. І при цьому транзистор КТ315 був значно дешевшим. Він зміг замінити собою і низькочастотний МП37, адже за рівної потужності він мав більший коефіцієнт передачі струму бази. Також найкращі показники були і в максимальному імпульсному струмі, і КТ315 мав більшу температурну стабільність. Завдяки використанню кремнію цей транзистор міг десятки хвилин функціонувати на помірному струмі, навіть якщо довкола була температура плавлення припою. Правда, робота в таких умовах трохи погіршувала характеристики пристрою, але він не виходив незворотньо з ладу.

Застосування та комплементарні технології

Транзистор КТ315 знайшов широке застосування у схемах підсилювачів звукової, проміжної та високої частот. Важливим доповненням стала розробка комплементарних КТ361. У парі вони знайшли своє застосування у безтрансформаторних двотактних схемах.

Висновок


Свого часу цей прилад грав велику роль при побудові різних схем. Доходило навіть до того, що в магазинах для радіоаматорів часів Радянського Союзу вони продавалися не поштучно, а на вагу. Це одночасно і було показником популярності, і говорило про виробничих потужностях, які були спрямовані на створення таких пристроїв. До того ж, вони настільки популярні, що в деяких схемах радіоаматори досі використовують дані транзистори. Не дивно, адже купити їх можна зараз. Хоча купувати не завжди обов'язково – часом достатньо розібрати техніку родом із СРСР.

Всім здорова! Так як я до кожної бочки затичка, не можу залишити без уваги таку важливу тему!

Витяг з Вікіпедії з моїми доповненнями:
- Тип кремнієвого біполярного транзистора, n-p-n провідності, що набув найширшого поширення в радянській радіоелектронній апаратурі.
У 1966 році А. І. Шокін (тоді міністр електронної промисловості СРСР) прочитав у журналі «Electronics» новину, про розробку в США транзистора, технологічно пристосованого під масове виробництво з використанням методу складання на безперервній стрічці на магнітних накопичувальних барабанах. Розробкою транзистора та обладнанням для виробництва зайнявся НДІ «Пульсар», Фрязінський напівпровідниковий завод та його ОКБ. Вже 1967 року (!) було виконано підготовка виробництва запуску масового виготовлення, а 1968 року (!) було випущено перші електронні пристрої з урахуванням КТ315.
Так КТ315 став першим масовим дешево-ширпотребним транзистором з кодовим маркуванням у мініатюрному пластмасовому корпусі КТ-13. На ньому в лівому верхньому кутку (а іноді й у правому вержньому) плоскої сторони ставилася буква, що позначає групу, нижче вказувалася дата виготовлення (у цировому вигляді або буквеному шифруванні). Також стояв символ підприємства-виробника.
Розробка КТ315 була відзначена 1973 р. Державною премією СРСР.
Через кілька років у такому ж корпусі КТ-13 стали випускати транзистор з p-n-p провідністю – КТ361. На відміну від КТ315 літера, що означає групу, ставилася посередині верхньої частини на плоскій стороні корпусу, також її укладали в «тирі».

Ось із моїх запасів:


Відкрити у новому вікні. Розмір 1600х1200 (для шпалер)

Також тішить їхнє кольорове розмаїття:


Починаючи з темно-жовтогарячого і закінчуючи чорними)))

Причому КТ315 маю аж 1994 року випуску.

У ілюстрації розташованої нижче я наводжу зображення самого транзистора (у разі зліва КТ315Г, праворуч КТ361Г) і умовне графічне відображення на принципових електронних схемах біполярних транзисторів обох провідностей.
Також зазначено цоколівку (вона у них однакова), а на графічному зображенні вказані висновки транзисторів - Дооллектор, База, Емітер.

Чи не на кожній платі вітчизняного виробництва (читай виробництва колишнього СРСР) використовувалися ці дешеві, малопотужні транзистори. Випаявши їх, тодішні радіоаматори успішно використовували цих триногих друзів у своїх виробах. Як показує практика, практично завжди вони були справними. Але все ж таки іноді трапляються і «убиті» (один перехід пробитий/закорочений - електричний опір = 0, або знаходиться в кручі - електричний опір = нескінченності). Також рідко траплявся і заводський шлюб (цілком новий транзистор був «мертвий»), і маркування з розряду «наладчик автоматичних ліній на виробництві дядько Ваня перед запуском чергової партії транзисторів на «штампування» хряпнув для відновлення сил 100-150 гр. »:)

Просто неясно, чи ліворуч літера на транзисторі, чи праворуч. Зустрічалися транзистори з маркуванням із розряду «літера не зліва, ні праворуч, ні посередині».))))

Для боротьби з цими бідами на допомогу нам приходить будь-який справний пристрій для перевірки PN-переходів. З його допомогою ми можемо зробити найпростішу перевірку транзисторів. Як ми знаємо біполярні транзистори структури NPN і PNP можна умовно (і тільки умовно! Ніякі два окремі діоди НІКОЛИ не замінять біполярний транзистор!) уявити у вигляді одиночних PN-переходів. Повертаємося до ілюстрації розташованої вище і спостерігаємо в нижньому, лівому куті відображений виключно для перевірки приладом еквівалент NPN транзистора КТ315 у вигляді двох діодів VD1, VD2.
Оскільки КТ361 транзистор протилежної провідності - PNP, то у діодів у його еквівалентній схемі просто змінюється полярність (ілюстрація знизу, праворуч).
Перейдемо до практики – перевіримо на справність наш улюблений КТ315. Беремо мультиметр який під руку попадеться.
Один із моїх тестерів:

Вмикаємо. Тестер з автоматичним вибором меж вимірювань, але це нам не завадить:)
2 – встановлюємо перемикач у режим «продзвонювання», вимірювання напівпровідників, вимірювання електричного опору.
3 – кнопкою ручного вибору виставляємо режим «перевірки напівпровідників»
1 - ліворуч на РК-індикаторі висвічується умовне графічне відображення діода.
З малюнка вище видно, що у транзисторів NPN (яким і є наш КТ315) при вимірі База-Емітер і База-Коллектор вимірювальний пристрійповинен показати наявність PN-переходу (звичайного кремнієвого діода у відкритому стані в даному випадку). Якщо ж щуп тестера з негативним потенціалом (у всіх нормальних китайських тестерів він чорного кольору) приєднати до бази транзистора, а щуп з позитивним потенціалом (стандартно - чорного кольору) до емітера або колектора (що відповідає перевірці емітер-база та колектор-база) через умовні діоди потече мізерний струм (струм зворотного витоку, зазвичай мікроампери), який прилад не відобразить, тобто діоди будуть у закритому стані - їх опір дорівнює нескінченності. Пробуємо:

Перевірка база-емітер. Прилад показує практично стандартне зниження напруги на кремнієвому діоді = 0,7В; при практично стандартному струмі для мультиметрів.

Перевірка база-емітер. Знову ж таки згідно з малюнком перевірки транзисторів бачимо те саме падіння напруги = 0,7В на такому ж PN-переході.
Висновок - при прямому включенні обидва переходи є абсолютно справними.
Якби прилад показував падіння напруги близьке до нульового або в режимі продзвонювання тестер пищав - це сигналізувало б про коротке замикання в якомусь переході, що перевіряється. Якби прилад показував нескінченне падіння напруги або нескінченний опір - це сигналізувало б про обрив у цьому вимірюваному переході.
Ніжки емітер – колектор також не повинні «дзвонитися» в жодному з напрямків.

Тепер перевіримо справність PNP-транзистор, у разі КТ361.
З того ж вищенаведеного малюнка (праворуч, внизу) видно, що у транзисторів цієї провідності є PN-переходи емітер-база і колектор-база (як я говорив з точністю до структури NPN-транзистора - змінюються полярності напівпровідників).
Перевіряємо:

На PN-переході емітер-база падіння 0,7В. Далі:

На колектор-база також 0,7В. Ні короткого замикання ні урвища в жодному з переходів немає. Діагноз – транзистор справний. Бігом паяти!

Вірш про КТ315(lurkmore.ru/КТ315)
Тебе створили для ВЧ,
Але паяли навіть в УНЧ.
Ти стежив за напругою в БП,
І сам харчувався від ІП.
Ти працював у ГВЧ та ГНЧ,
Тебе садили навіть до УПЧ.
Ти добрий генератор,
Підсилювач, комутатор.
Ти стоїш копійки,
Але прийшли на зміну тобі мікросхемки.

Щоб вирішити в умовах проблеми створення електронної промисловості практично з нуля і без участі світової кооперації, потрібно було продумати чітку програму з комплексним підходом, засновану на поєднанні глибокого розуміння наукових і технічних проблем електроніки з не менш глибоким знанням законів промислового виробництва. І така програма перетворення електронної промисловості СРСР на одну з найпотужніших галузей народного господарства була винесена, вистраждана та розроблена міністром та його сподвижниками. Внаслідок її виконання Радянський Союз за період з 1960 по 1990 р.р. вийшов на третє місце у світі з виробництва електронних компонентів (а по окремим видамі друге і навіть перше). Єдиною у світі країною, яка мала можливість повністю забезпечувати все сучасні видизброєю власною елементною базою був Радянський Союз.
На початку 90-х сумарний обсяг випуску транзисторів КТ315 на чотирьох заводах галузі склав близько 7 мільярдів штук, сотні мільйонів було поставлено на експорт, ліцензія на технологію виробництва та комплект обладнання були продані за кордон.

Ось і казка закінчилася, дякую за увагу,
Ваш:)

Любіть КТ-шки, і пам'ятайте приказку: «без КТ - ні туди, ні сюди».))))

Мабуть, немає якогось більш менш складного електронного пристрою, виробленого в СРСР протягом сімдесятих, вісімдесятих і дев'яностих років, у схемі якого не використовувався б транзистор КТ315. Не втратив популярності він і досі.

Причин для такого поширення цього кілька. По-перше, його якість. Завдяки стрічково-конвеєрному способу, що був наприкінці шістдесятих революційним, собівартість виробництва вдалося знизити до мінімуму за дуже хороших технічних показників. Звідси і друга перевага - доступна ціна, що дозволяє використовувати транзистори КТ315 у масовій побутовій та виробничій електроніці, а також застосовувати для радіоаматорських пристроїв.

У позначенні використана буква К, що означає «кремнієвий», як і більшість напівпровідникових приладів, що виготовляються з тих часів. Цифра "3" означає, що транзистор КТ315 відноситься до групи широкосмугових приладів невеликої потужності.

Пластиковий корпус не передбачав високої потужності, але дешевий.

Випускався транзистор КТ315 у двох варіантах, плоскому (помаранчевий або жовтий) та циліндричному (чорний).

Для того, щоб зручніше було визначати, як його монтувати, на його «лицьовій» стороні в плоскій версії виконано скіс, колектор – у середині, база – ліворуч, колектор – праворуч.

Чорний транзистор мав плоский зріз, якщо розташувати транзистор їм до себе, то емітер виявлявся праворуч, колектор – ліворуч, а база – посередині.

Маркування складалося з літери, залежно від допустимої напруги живлення, від 15 до 60 Вольт. Від літери залежить і потужність, вона може досягати 150 мВт, і це при мікроскопічних на той час розмірах – ширина – сім, висота – шість, а товщина – менше трьох міліметрів.


Транзистор КТ315 – високочастотний, цим пояснюється широта його застосування. до 250 мГц гарантує його стійку роботу в радіосхемах приймачів та передавачів, а також підсилювачах діапазону.

Провідність – зворотна, n-p-n. Для пари при використанні двотактної схеми посилення створено КТ361 з прямою провідністю. Зовні ці "близнюки-брати" практично не відрізняються, тільки наявність двох чорних рисок вказує на p-n-p провідність. Ще варіант маркування, буква розташована точно посередині корпусу, а не з краю.

За всіх своїх переваг, транзистор КТ315 має і недолік. Його висновки плоскі, тонкі, дуже легко відламуються, тому монтаж слід проводити дуже обережно. Втім, навіть зіпсувавши деталь, багато радіоаматорів примудрялися полагодити її, підпиливши трохи корпус, і «присопивши» зволікання, хоча це і важко, та й сенсу особливого не було.

Корпус настільки своєрідний, що вказує на радянське походження КТ315. Аналог йому знайти можна, наприклад, ВС546В або 2N9014 – з імпорту, КТ503, КТ342 або КТ3102 – з наших транзисторів, але рекордна дешевизна позбавляє сенсу такі хитрощі.

Випущено мільярди КТ315, і, хоча в наш час існують мікросхеми, в яких вбудовані десятки і сотні таких напівпровідникових приладів, іноді їх все ж таки використовують для збирання нескладних допоміжних схем.

Транзистор КТ315 - один із наймасовіших вітчизняних транзисторів, був запущений у виробництво в 1967 році. Спочатку випускався у пластиковому корпусі КТ-13.

КТ315 цоколівка

Якщо розташувати КТ315 маркуванням себе висновками вниз, то лівий висновок це емітер, центральний - колектор, а правий - база.

Після КТ315 став випускатися і в корпусі КТ-26 (закордонний аналог TO92), транзистори в цьому корпусі отримали додаткову ”1” в позначенні, наприклад КТ315Г1. Цоколівка КТ315 у цьому копусі така сама як і у КТ-13.

КТ315 параметри

КТ315 це малопотужний високочастотний кремнієвий біполярний транзистор з n-p-n структурою . Має комплементарний аналог КТ361 з p-n-p структурою.
Обидва цих транзистора призначалися до роботи у схемах підсилювачів як звуковий і проміжної і високої частоти.
Але завдяки тому, що характеристики цього транзистора були проривними, а вартість нижче за існуючі германієві аналоги КТ315 знайшов найширше застосування у вітчизняній електронній техніці.

Гранична частота коефіцієнта передачі струму у схемі із загальним емітером ( f гр.) – 250 МГц.

Максимально допустима постійна потужність колектора, що розсіюється, без тепловідведення ( P до max)

  • Для КТ315А, Б, В, Р, Д, Е - 0,15 Вт;
  • Для КТ315Ж, І, Н, Р - 0,1 Вт.

Максимально допустимий постійний струм колектора ( I до max)

  • Для КТ315А, Б, В, Р, Д, Е, Н, Р - 100 мА;
  • Для КТ315Ж, І – 50 мА.

Постійна напруга база-емітер - 6 В.

Основні електричні параметри КТ315, які залежать від літери, наведені в таблиці.

  • U кбо- Максимально допустима напруга колектор-база,
  • U кео- Максимально допустима напруга колектор-емітер,
  • h 21е- Статичний коефіцієнт передачі струму біполярного транзистора у схемі із загальним емітером,
  • I кбо- Зворотний струм колектора.
Наймен. U кбо і U кео, h 21е I кбо, мкА
КТ315А 25 30-120 ≤0,5
КТ315Б 20 50-350 ≤0,5
КТ315В 40 30-120 ≤0,5
КТ315Г 35 50-350 ≤0,5
КТ315Г1 35 100-350 ≤0,5
КТ315Д 40 20-90 ≤0,6
КТ315Е 35 50-350 ≤0,6
КТ315Ж 20 30-250 ≤0,01
КТ315І 60 ≥30 ≤0,1
КТ315Н 20 50-350 ≤0,6
КТ315Р 35 150-350 ≤0,5

Маркування транзисторів КТ315 та КТ361

Саме з КТ315 почалося кодоване позначення вітчизняних транзисторів. Мені траплялися КТ315 з повним маркуванням, але набагато частіше з єдиною літерою з назви зміщеною трохи ліворуч від центру, праворуч від літери був логотип заводу, який випустив транзистор. Транзистори КТ361 теж маркувалися однією літерою, але літера розташовувалася по центру і ліворуч і праворуч від неї були тире.

І звичайно, у КТ315 є зарубіжні аналоги, наприклад: 2N2476, BSX66, TP3961, 40218.

КТ315 цоколівка, КТ315 параметри, КТ315 характеристики: 20 коментарів

  1. Greg

    Так, легендарна руда пара! Спроба, заповідана легендарною особистістю – а ми, підемо іншим шляхом. Не вдалося, а шкода. Це ж треба було додуматися, такі незручні висновки зробити, що дозволяють вигин тільки в одному напрямі: це, напевно, не інженерне, а політичне рішення. антуражний, стильний, брутальний та незабутній! Я б дав йому й Оскара та Нобелівку одразу.
    Після зміни прикиду - звичайна, посередня деталь, у ряді тисяч схожих (
    ЗИ Корпус змінився тому, що виробниче обладнання згодом замінили на імпортне, а їх верстати на таку цукерку не розраховані.

    1. adminАвтор запису

      Не в тому була біда, що висновки формувалися тільки в одній площині (наприклад у корпусах TO-247 висновки теж плоскі), а в тому, що вони були широкі (ширина 0,95 мм, товщина 0,2 мм) і розташовані близько (зазор 1 55 мм). Розводити плату було дуже незручно – доріжку між висновками не пропустиш, та й свердлити під КТ-13 треба було свердлом 1,2 мм. Під інші компоненти вистачало 1 мм або 0,8 мм.
      КТ315 був першим вітчизняним транзистором виготовленим за епітаксійно-планарною технологією, потім, через пару десятків років він уже став посереднім серед молодших побратимів. І звичайно в 80-х замість КТ315/КТ361 зручніше було поставити КТ208/КТ209, КТ502/КТ503 або КТ3102/КТ3107 залежно від того, які завдання перед транзистором стояли.
      І я сумніваюся, що корпус КТ-13 був вітчизняним винаходом, начебто існували японські деталі в таких корпусах, так що швидше за все невдало перейняли чужий досвід.

  2. Greg

    Схід справа тонка ... У середині минулого століття йшла запекла боротьба наддержав за перерозподіл сфер впливу. Хтось, Японії – бомби, а хтось – технології. А хитрі японці приймали будь-яку допомогу і хапали все, що давали… Потім, природно, вибрали найкраще, а отже, технологічне. Вони, люди нетворчі, перемогли - Техно-Логічність) СРСР їм не тільки перший радіозавод побудував, а й перший автозавод, наприклад. Надалі, автомобілі, що випускаються, стали відрізнятися від наших не менше радіодеталей. Питання пріоритетності тут спірне, через міжнародної дружби та спільності тодішніх розробок.

    1. Вова

      СРСР за кордон продавав ліцензії на виробництво КТ315, мабуть і японці теж купили таку. А до Польщі так взагалі цілу лінію з виробництва КТ315 із Воронежа віддали. Мабуть за програмою підтримки країн соціального табору.

  3. Chupacabra

    За популярністю з КТ315 може зрівнятися хіба що МП42Б.

    Мені не траплялися КТ315 із дивними літерами, виявляється це були спеціалізовані транзистори:

    • КТ315І були призначені для ланцюгів комутації сегментів вакуумних люмінесцентних індикаторів;
    • КТ315Н були призначені для застосування у кольоровому телебаченні;
    • КТ315Р були призначені для відеомагнітофонів "Електроніка-ВМ".
  4. Олександр

    Та не зручні висновки, але інших транзисторів тоді не було. Останнім часом, років 20, ці транзистори доступні, безкоштовно можна дістати. Згорить не шкода, Для початківців добре підходить. На макетки добре припаювати.

  5. Root

    Так нормальні у них корпуси. Плоскі, можна десятками в один ряд ставити на мінімальній відстані один від одного, як транзистори ТО-92 ніяк не поставиш. Актуально, коли їх багато на платі, наприклад, ключі для багатосегментних ВЛІ. Стрічкові висновки (данина технологічності виробництва транзисторів) теж особливих незручностей не створюють, не бачу гострої необхідності відгинати висновки в різні боки. Не гнем же ми висновки мікросхем і трасування це анітрохи не заважає.

    Ніколи не замислювався над шириною висновків КТ315. Завжди свердлив все в основному свердлом 0,8 мм і 315-те (яких у мене півлітрова банка, куплена з нагоди на ринку) завжди нормально вставали на свої місця, без будь-якого насильства з мого боку 🙂 .

    1. Root

      З цікавого. Читав на якомусь сайті про виготовлення вихідного каскаду потужного УЗЧ на десятках запаралелених КТ315 та КТ361. Транзистори в одну лінію бічними поверхнями один до одного і затискаються між алюмінієвими пластинами з термопастою. Характеристик підсилювача не пам'ятаю, і автор цієї конструкції на високу якість звуку не розраховував роблячи УМЗЧ на 315 як технічний курйоз.

        Мені не тільки АЧХ, мені весь цей курйоз-маразм важко собі уявити. Не, щоб уславитися оригінальним, можна і штангенциркулем цвяхи забивати, чому б ні. Але це складно, дорого, незручно, неякісно і... оригінальним здасться тільки ідіотам, які не відрізняють ефект від дефекту. Тулити радіатори транзисторам без термовивідного майданчика безглуздо не менше, ніж сполучати кілька десятків елементів для кількох Ват потужності. Справді, маркіз де Садд Янус Франкінштейнович, радіотехнолох.

  • Віктор

    "Солодка парочка" - 315,361. Стільки всього на них перепаяно. Начебто спеціально для макеток зроблені були своїми плоскими висновками. Мені досі тепло стає, коли їх до рук беру. Виріс-то за часів дефіциту. Лежать у коробочці. Чекають, коли онук підросте.

  • mobilandser

    Дуже багато в старій схемотехніці використовувалися саме транзистори серій 315 і 361. До речі і сам на них багато всього паяв, але розташування самих висновків дуже не зручно. Я б поміняв колектор і емітером чи базою. тоді розведення плат було б набагато компактнішим.

    1. Greg

      Так на те він і рудий, щоб все було не так, як у більшості) Там і з технологією такого розташування висновків виникають деякі складності, Е_Б_К виготовити простіше, ніж Е_К_Б, але на це пішли чомусь. І стрічковий контакт невиправдано широкий, що потягнуло за собою невиправдане збільшення корпусу… Перший млинець? Наша відповідь Чемберлену? Прогнозування розвитку, що не відбулося? Помилкові передумови? Історія замовчує, а так хотілося б на патентні та авторські документи поглянути, але й з цим таємниця.

      Наскільки пам'ятаю в магнітофонах на зміну КТ315-КТ361 прийшли КТ208-КТ209, КТ502-КТ503 потім КТ3102-КТ3107. Якщо є якісь з цих транзисторів можна спробувати підібрати за параметрами, звичайно результат не гарантований, та й корпуси у них інші.
      Якщо не спортивного інтересу, щоб усе було як задумував розробник колонки, тим більше в підсилювачі всі транзистори погоріли, то я в колонку вставив би якусь сучасну хустку на операційних підсилювачах.

  • Митя

    На що можна замінити ці транзи? На які транзи саме

  • Kemran

    Всім привіт у мене проблема з цими транзими їх у нас не купиш їх немає як а в запасі у мене немає теж були але я їх витратив питання мій такий а на які транзи можна поміняти 315Бі 361б

    1. Greg

      Адмін уже писав, вище, але повторю, докладніше. Найбільш відповідна, за більшістю параметрів, заміна пари КТ315/КТ361 - це КТ502/КТ503. Підійде в більшості схематичних рішень, навіть без перерахунку ланцюгів, що задають і коригують. Якщо схематичний упор на ключову, дискретну обробку сигналів, можна використовувати КТ3102/КТ3107, що найчастіше навіть краще. Цілком підходять і КТ208/КТ209. Але, якщо використовувати в аналогових схемах посилення, то ланцюги, що задають, краще підкоригувати.

  • Володимир

    У підсилювачах звуку можна ставити МП41А і пару МП37А замість КТ361 і відповідно КТ315. Чому з літерою А, напруга у МП37А 30 Вольт, в інших літер нижче 20 Вольт. МП41 можна замінити на МП42, МП25, МП26, у двох останніх напруга 25 і 40 Вольт мінімальна, тому треба дивитися напругу джерела живлення. Зазвичай 12 або 25 вольт у підсилювачах старих моделей.

  • Кремнієві епітаксійно-планарні n-p-n транзистори типу КТ315 та КТ315-1 (комплементарна їм пара). Призначені для застосування в підсилювачах високої, проміжної та низької частоти, що безпосередньо застосовуються в радіоелектронній апаратурі, що виготовляється для техніки цивільного призначення та для постачання на експорт. Транзистори КТ315 та КТ315-1 випускаються у пластмасовому корпусі з гнучкими висновками. Транзистор КТ315 виготовляється у корпусі КТ-13. Після КТ315 став випускатися в корпусі КТ-26 (закордонний аналог TO92), транзистори в цьому корпусі отримали додаткову «1» в позначенні, наприклад КТ315Г1. Корпус надійно оберігає кристал транзистора від механічних та хімічних ушкоджень. Транзистори KT315H та КТ315Н1 призначені для застосування у кольоровому телебаченні. Транзистори KT315P та КТ315Р1 призначені для застосування у відеомагнітофоні «Електроніка – ВМ». Транзистори виготовляють у кліматичному виконанні УХЛ та в єдиному виконанні, придатному як для ручного, так і для автоматизованого збирання апаратури.

    КТ315 випускався підприємствами: "Електроприлад" м. Фрязіно, "Квазар" м. Київ, "Континент" м. Зеленодольськ, "Кварцит" м. Орджонікідзе, ВО "Елькор" Республіка Кабардино-Балкарія м. Нальчик, НДІПП м. Томськ, ПЗ «Електроніка» м. Воронеж, 1970 р. їх виробництво також було передано до Польщі на підприємство Unitra CEMI.

    В результаті переговорів у 1970 році Воронезьким об'єднанням «Електроніка» у плані співробітництва було передано до Польщі виробництво транзисторів КТ315. Для цього у Воронежі повністю демонтували цех, та у найкоротші терміни разом із запасом матеріалів та комплектуючих переправили, змонтували та запустили його у Варшаві. Цей науково-виробничий центр з електроніки, створений у 1970 році, був виробником напівпровідників у Польщі. Unitra CEMI зрештою збанкрутувала в 1990 році, залишивши польський ринок мікроелектроніки відкритим для іноземних компаній. Сайт музей підприємства Unitra CEMI: http://cemi.cba.pl/ . До кінця існування СРСР загальна кількість випущених транзисторів КТ315 перевищила 7 мільярдів.

    Транзистор КТ315 випускається, до сьогодні рядом підприємств: ЗАТ «Кремній» м. Брянськ, СКБ «Елькор» Республіка Кабардино-Балкарія м. Нальчик, завод НДІПП м. Томськ. Транзистор КТ315-1 випускається: ЗАТ "Кремній" м. Брянськ, завод "Транзистор" Республіка Білорусь м. Мінськ, АТ "Елекс" м. Олександрів Володимирська область.

    Приклад позначення транзисторів КТ315 під час замовлення та в конструкторській документації іншої продукції: «Транзистор КТ315А ЖК.365.200 ТУ/05», для транзисторів КТ315-1: «Транзистор КТ315А1 ЖК.365.200 ТУ/02».

    Короткі технічні характеристики транзисторів КТ315 та КТ315-1 представлені у таблиці 1.

    Таблиця 1 – Короткі технічні характеристики транзисторів КТ315 та КТ315-1

    ТипСтруктураP До max,
    P К * т. max ,
    мВт
    f гр,
    МГц
    U КБО max ,
    U КЕР*max ,
    У
    U ЕБО max ,
    У
    I До max
    мА
    I КБО,
    мкА
    h 21е,
    h 21Е*
    C До,
    пФ
    r КЕ нас,
    Ом
    r б,
    Ом
    τ до,
    пс
    KT315A1n-p-n 150 ≥250 25 6 100 ≤0,5 20...90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
    KT315Б1n-p-n 150 ≥250 20 6 100 ≤0,5 50...350 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
    KT315В1n-p-n 150 ≥250 40 6 100 ≤0,5 20...90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
    KT315Г1n-p-n 150 ≥250 35 6 100 ≤0,5 50...350 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
    KT315Д1n-p-n 150 ≥250 40 6 100 ≤0,5 20...90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
    KT315Е1n-p-n 150 ≥250 35 6 100 ≤0,5 20...90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
    KT315Ж1n-p-n 100 ≥250 15 6 100 ≤0,5 30...250 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
    KT315І1n-p-n 100 ≥250 60 6 100 ≤0,5 30 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
    KT315Н1n-p-n 150 ≥250 20 6 100 ≤0,5 50...350 (10 В; 1 мА) ≤7
    KT315Р1n-p-n 150 ≥250 35 6 100 ≤0,5 150...350 (10 В; 1 мА) ≤7
    КТ315Аn-p-n 150 (250*) ≥250 25 6 100 ≤0,5 30...120* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
    КТ315Бn-p-n 150 (250*) ≥250 20 6 100 ≤0,5 50...350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤500
    КТ315Вn-p-n 150 (250*) ≥250 40 6 100 ≤0,5 30...120* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤500
    КТ315Гn-p-n 150 (250*) ≥250 35 6 100 ≤0,5 50...350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤500
    КТ315Дn-p-n 150 (250*) ≥250 40* (10к) 6 100 ≤0,6 20...90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤30 ≤40 ≤1000
    КТ315Еn-p-n 150 (250*) ≥250 35* (10к) 6 100 ≤0,6 50...350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤30 ≤40 ≤1000
    КТ315Жn-p-n 100 ≥250 20* (10к) 6 50 ≤0,6 30...250* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤25 ≤800
    КТ315Іn-p-n 100 ≥250 60* (10к) 6 50 ≤0,6 ≥30* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤45 ≤950
    КТ315Нn-p-n 150 ≥250 35* (10к) 6 100 ≤0,6 50...350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤5,5 ≤1000
    КТ315Рn-p-n 150 ≥250 35* (10к) 6 100 ≤0,5 150...350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤500

    Примітка:
    1. I КБО – зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера, виміряний при U КБ = 10 В;
    2. I До max – максимально допустимий постійний струм колектора;
    3. U КBO max – пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера;
    4. U ЕБO max – пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора;
    5. U КЕР max – пробивна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база-емітер;
    6. Р К.т max – постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням;
    7. P До max – максимально допустима постійна потужність колектора, що розсіюється;
    8. r б - опір бази;
    9. r КЕ нас – опір насичення між колектором та емітером;
    10. C К - ємність колекторного переходу, виміряна при U К = 10 В;
    11. f гp - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми загальним емітером;
    12. h 2lэ – коефіцієнт зворотний зв'язок по напрузі транзистора як мало сигналу для схем із загальним емітером і загальною базою відповідно;
    13. h 2lЕ – для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу;
    14. τ до - постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті.

    Габарити транзистора КТ315

    Тип корпусу транзистора КТ-13 Маса одного транзистора трохи більше 0,2 р. Величина сили, що розтягує 5 Н (0,5 кгс). Мінімальна відстань місця вигину виведення від корпусу – 1 мм (на малюнку позначено як L1). Температура паяння (235 ± 5) °С, відстань від корпусу до місця паяння 1 мм, тривалість паяння (2 ± 0,5) пн. Транзистори повинні витримувати вплив тепла, що виникає за температури паяння (260 ± 5) °С протягом 4 секунд. Висновки повинні зберігати паяність протягом 12 місяців з дати виготовлення за дотримання режимів та правил виконання паяння, зазначених у розділі «Вказівки щодо експлуатації». Транзистори стійкі до дії спирто-бензинової суміші (1:1). Транзистори КТ315 пожежобезпечні. Габаритні розміри транзистора КТ315 наведено малюнку 1.

    Малюнок 1 – Маркування, цоколівка та габаритні розміри транзистора КТ315

    Габарити транзистора КТ315-1

    Тип корпусу транзистора КТ-26 Маса одного транзистора трохи більше 0,3 р. Мінімальна відстань місця вигину виведення корпусу – 2 мм (на малюнку позначено як L1). Температура паяння (235 ± 5) °С, відстань від корпусу до місця паяння не менше 2 мм, тривалість паяння (2 ± 0,5) пн. Транзистори КТ315-1 пожежобезпечні. Габаритні розміри транзистора КТ315-1 наведено малюнку 2.


    Малюнок 2 – Маркування, цоколівка та габаритні розміри транзистора КТ315-1

    Цоколівка транзисторів

    Якщо розташувати транзистор КТ315 маркуванням від себе (як показано малюнку 1) висновками вниз, то лівий висновок це основа, центральний – колектор, а правий – емітер.

    Якщо розташувати транзистор КТ315-1 навпаки маркуванням себе (як показано малюнку 2) висновками також вниз, то лівий висновок це емітер, центральний – колектор, а правий – база.

    Маркування транзисторів

    Транзистор КТ315. Тип транзистора вказується в етикетці, і навіть на корпусі приладу як букви вказувалася група. На корпусі вказується повна назва транзистора або лише літера, яка зсунута до лівого краю корпусу. Товарний знак заводу може не вказуватись. Дата випуску ставиться у цифровому або кодованому позначенні (при цьому можуть вказувати лише рік випуску). Крапка у складі маркування транзистора свідчить про його застосування – у складі кольорового телебачення. А старі (вироблені до 1971 року) транзистори КТ315 маркувалися літерою, що стоїть посередині корпусу. При цьому перші випуски маркувалися лише однією великою літерою, а приблизно 1971 року перейшли на звичну дворядкову. Приклад маркування транзистора КТ315 показаний малюнку 1. Слід також зазначити, що транзистор КТ315 був першим масовим транзистором з кодовою маркуванням в мініатюрному пластмасовому корпусі КТ-13. Переважна більшість транзистори КТ315 і КТ361 (характеристики такі ж, як у КТ315, а провідність p-n-p) було випущено в корпусах жовтого або червоно-жовтогарячого кольорів, значно рідше можна зустріти транзистори рожевого, зеленого і чорного кольорів. У маркування транзисторів призначених для продажу крім літери, що позначає групу, товарного знаку заводу та дати виготовлення входила і роздрібна ціна, наприклад, «ц20к», що означало ціна 20 копійок.

    Транзистор КТ315-1. Тип транзистори також вказується в етикетці, а на корпусі вказується повна назва транзистора, а також транзистори можуть маркуватися кодовим знаком. Приклад маркування транзистора КТ315-1 наведено малюнку 2. Маркування транзистора кодовим знаком наведено у таблиці 2.

    Таблиця 2 - Маркування транзистора КТ315-1 кодовим знаком

    Тип транзистораМаркувальна мітка на зрізі
    бічній поверхні корпусу
    Маркувальна мітка
    на торці корпусу
    KT315A1Трикутник зеленого кольоруКрапка червоного кольору
    KT315Б1Трикутник зеленого кольоруТочка жовтого кольору
    KT315В1Трикутник зеленого кольоруКрапка зеленого кольору
    KT315Г1Трикутник зеленого кольоруКрапка блакитного кольору
    KT315Д1Трикутник зеленого кольоруТочка синього кольору
    KT315Е1Трикутник зеленого кольоруКрапка білого кольору
    KT315Ж1Трикутник зеленого кольоруДві точки червоного кольору
    KT315І1Трикутник зеленого кольоруДві точки жовтого кольору
    KT315Н1Трикутник зеленого кольоруДві точки зеленого кольору
    KT315Р1Трикутник зеленого кольоруДві точки блакитного кольору

    Вказівки щодо застосування та експлуатації транзисторів

    Основне призначення транзисторів – робота у підсилювальних каскадах та інших схемах радіоелектронної апаратури. Допускається застосування транзисторів, виготовлених у звичайному кліматичному виконанні в апаратурі, призначеній для експлуатації у всіх кліматичних умовах, при покритті транзисторів безпосередньо в апаратурі лаками (3-4 шари) типу УР-231 за ТУ 6-21-14 або ЕП-730 по ГОСТ 20824 з наступним сушінням. Допустиме значення статичного потенціалу 500 В. Мінімально допустима відстань від корпусу до місця лудіння та паяння (по довжині виведення) 1 мм для транзистора КТ315 та 2 мм для транзистора КТ315-1. Кількість допустимих перепайок висновків під час проведення монтажних (складальних) операцій – одна.

    Зовнішні фактори, що впливають

    Механічні впливи групи 2 таблиця 1 в ГОСТ 11630, зокрема:
    – синусоїдальна вібрація;
    - Діапазон частот 1-2000 Гц;
    - Амплітуда прискорення 100 м / с 2 (10g);
    - Лінійне прискорення 1000 м/с 2 (100g).

    Кліматичні впливи – за ГОСТ 11630, зокрема: підвищена робоча температура середовища 100 °С; знижена робоча температура середовища мінус 60 ° С; зміна температури середовища мінус 60 до 100 °С. Для транзисторів КТ315-1 зміна температури середовища мінус 45 до 100 °С

    Надійність транзисторів

    Інтенсивність відмов транзисторів протягом напрацювання понад 3×10 -7 1/год. Напрацювання транзисторів t н = 50 000 годин. 98-відсотковий термін зберігання транзисторів 12 років. Упаковка повинна забезпечити захист транзисторів від зарядів статичної електрики.

    Закордонні аналоги транзистора КТ315

    Закордонні аналоги транзистора КТ315 наведені у таблиці 3. Технічну інформацію (datasheet) на закордонні аналоги транзистора КТ315 також можна завантажити у таблиці нижче. Наведені нижче ціни відповідають станом на 08.2018 року.

    Таблиця 3 – Закордонні аналоги транзистора КТ315

    Вітчизняний
    транзистор
    Зарубіжний
    аналог
    Можливість
    купити
    Підприємство
    виробник
    Країна
    виробник
    КТ315А ніUnitra CEMIПольща
    КТ315Б ніUnitra CEMIПольща
    КТ315В ніUnitra CEMIПольща
    КТ315Г ніUnitra CEMIПольща
    КТ315Д єHitachiЯпонія
    КТ315Е є ~ 4$Central SemiconductorСША
    КТ315Ж є ~ 9 $Sprague electric corp.США
    єITT Intermetall GmbHНімеччина
    КТ315І є ~ 16 $New Jersey SemiconductorСША
    єSonyЯпонія
    КТ315Н є ~ 1$SonyЯпонія
    КТ315Р ніUnitra CEMIПольща

    Закордонним зразком транзистори КТ315-1 є транзистори 2SC544, 2SC545, 2SC546 підприємство виробник Sanyo Electric, країна виробництва Японія. Транзистори 2SC545, 2SC546 можна також придбати, орієнтовна ціна становить близько 6$.

    Основні технічні характеристики

    Основні електричні параметри транзисторів КТ315 при прийманні та поставці наведені в таблиці 4. Гранично-допустимі режими експлуатації транзистора наведені в таблиці 5. Вольт-амперні характеристики транзисторів КТ315 наведені на малюнках 3 – 8. Залежності електричних параметрів транзисторів малюнки 9 – 19.

    Таблиця 4 – Електричні параметри транзисторів КТ315 під час приймання та постачання

    Найменування параметра (режим виміру)
    одиниці виміру
    Літерне
    позначення
    Норма
    параметра
    Температура, °С
    не меншене більше
    Гранична напруга (IC = 10 мА), В
    КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж, КТ315Н
    КТ315В, КТ315Д, КТ315І
    КТ315Г, КТ315Е, КТ315Р
    U (CEO)
    15
    30
    25
    25

    (IC = 20 мA, I B = 2 мА),
    КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Р
    КТ315Д, КТ315Е
    КТ315Ж
    КТ315І
    U CEsat

    0,4
    0,6
    0,5
    0,9

    Напруга насичення колектор-емітер
    (IC = 70 мA, I B = 3,5 мА), В КТ315Н
    U CEsat 0,4
    Напруга насичення база-емітер
    (IC = 20 мА, I B = 2 мА), В
    КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТЗ I5P
    КТ315Д, КТ315Е
    КТ315Ж
    КТ315І
    U BEsat

    1,0
    1,1
    0,9
    1,35


    КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р
    КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КГ315І
    I CBO
    0,5
    0,6
    25, -60
    Зворотний струм колектора (U CB =10 В), мкА
    КТ3I5A КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р
    КТ315Д, КТ315Е
    I CBO
    10
    15
    100
    Зворотний струм емітера (U EB =5 В) мкА
    КТ315А - КГ315Е, КТ315Ж, ХТ315Н
    КТ315І
    КТ315Р
    I EBO
    30
    50
    3
    25
    ,
    (R BE = 10 ком U CE = 25 В), мА, KT3I5A
    (R BE = 10 ком U CE = 20 В), мА, КТ315Б, КТ315Н
    (R BE = 10 ком U CE = 40 В), мА КТ315В
    (R BE = 10 ком U CE = 35 В), мА, КТ315Г
    (R BE = 10 ком U CE = 40 В), мА, КТ315Д
    (R BE = 10 ком U CE = 35 В), мА, КТ315Е
    I CER
    0,6
    0,6
    0,6
    0,6
    1,0
    1,0
    0,005
    Зворотний струм колектор-емітер
    (R BE = 10 ком U CE = 35 В), мА, КТ315Р
    I CER 0,01 100
    Зворотний струм колектор-емітер
    (U CE = 20 В), мА, КТ315Ж
    (U CE = 60 В), мА, КТ315І
    I CES
    0,01
    0,1
    25, -60
    Зворотний струм колектор-емітер
    (U CE = 20 В), мА, KT3I5Ж
    (U CE = 60 В), мА, KT3I5І
    I CES
    0,1
    0,2
    100
    Статичний коефіцієнт передачі струму
    (UCB = 10 В, I E = 1 мА)
    КТ315А, KT3I5B

    КТ315Д
    КТ315Ж
    КТ315І
    КТ315Р
    h 21E

    30
    50
    20
    30
    30
    150

    120
    350
    90
    250

    350

    25
    Статичний коефіцієнт передачі струму
    (UCB = 10 В, I E = 1 мА)
    КТ315А, KT3I5B
    КТЗ15Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н
    КТ315Д
    КТ315Ж
    КТ315І
    КТ315Р
    h 21E

    30
    50
    20
    30
    30
    150

    250
    700
    250
    400

    700

    100
    Статичний коефіцієнт передачі струму
    (UCB = 10 В, I E = 1 мА)
    КТ315А, KT3I5B
    КТЗ15Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н
    КТ315Д
    КТ315Ж
    КТ315І
    КТ315Р
    h 21E

    5
    15
    5
    5
    5
    70

    120
    350
    90
    250

    350

    -60
    Модуль коефіцієнта передачі струму
    на високій частоті (U CB = 10 В, IE = 5 мА, f = 100 МГц)
    |h 21E | 2,5 25
    Ємність колекторного переходу
    (UCB = 10 В, f = 10 МГц), пФ
    C C 7 25

    Таблиця 5 - Гранично-допустимі режими експлуатації транзистора КТ315

    Параметр,
    одиниця виміру
    ПозначенняНорма параметра
    КГ315АКГ315БКГ315ВКГ315ГКТЗ15ДКГ315ЕКГ315ЖКГ315ІКТ315НКТ315Р
    Макс. допустима постійна напруга колектор-емітер, (R BE = 10 кОм), В 1)U CERmax 25 20 40 35 40 35 20 35
    Макс. допустима постійна напруга колектор-емітер при короткому замиканні в ланцюгу емітер-база, 1)U CES max 20 60
    Макс. допустима постійна напруга колектор-база, 1)U CB max 25 20 40 35 40 35 20 35
    Макс. допустима постійна напруга емітер-база, 1)U EB max 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6
    Макс. допустимий постійний струм колектора, ма 1)I C max 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100
    Макс. допустима постійна потужність колектора, що розсіюється, мВт 2)P C max 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200
    Макс. допустима температура переходу, ⁰Сt j max 125 125 125 125 125 125 125 125 125 125

    Примітка:
    1. Для всього діапазону робочих температур.
    2. При t атв від мінус 60 до 25 °С. При підвищенні температури більше 25 ° С P C max розраховується за формулою:

    де R t hjα - загальний тепловий опір перехід-довкілля, що дорівнює 0,5 ° С/мВт.

    Рисунок 3 – Типова вхідна характеристика транзисторів КТ315А – КТ315І, КТ315Н, КТ315Р
    Рисунок 4 – Типова вхідна характеристика транзисторів КТ315А – КТ315І, КТ315Н, КТ315Р
    при U CE = 0, t атв = (25±10) °С Малюнок 5 – Типові вихідні характеристики транзисторів типу КТ315А, КТ315В, КТ315Д, КТ315І
    при t атв = (25±10) °С Малюнок 6 – Типові вихідні характеристики транзисторів типу КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н
    при t атв = (25±10) °С Рисунок 7 – Типові вихідні характеристики
    транзистора КТ315Ж при t атв = (25±10) °С Рисунок 8 – Типові вихідні характеристики
    транзистора КТ315Р при t атв = (25±10) °С Рисунок 9 – Залежність напруги насичення колектор-емітер від постійного струму колектора для транзисторів типу КТ315А – КТ315І, КТ315Н, КТ315Р при IC/I B = 10,
    t атв = (25±10) °С Рисунок 10 – Залежність напруги насичення база-емітер від постійного струму колектора для транзисторів типу КТ315А – КТ315І, КТ315Н, КТ315Р при IC/I B = 10, t ат = (25±10) °С Рисунок 11 – Залежність статичного коефіцієнта передачі струму від постійного струму емітера для транзисторів КТ315А, КТ315В, КТ315Д, КТ315І при U CB = 10,
    t атв = (25±10) °С Рисунок 12 – Залежність статичного коефіцієнта передачі струму від постійного струму емітера для транзисторів КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н при UCB = 10,
    t атв = (25±10) °С Рисунок 13 – Залежність статичного коефіцієнта передачі струму від постійного струму емітера для транзистора КТ315Ж при U CB = 10, t атв = (25±10) °С Рисунок 14 – Залежність статичного коефіцієнта передачі струму від постійного струму емітера для транзистора КТ315Р при U CB = 10, t атв = (25±10) °С Рисунок 15 – Залежність модуля коефіцієнта передачі струму за високою частотою від постійного струму емітера при U CB = 10, f = 100 МГц, t атв = (25±10) °С Рисунок 16 – Залежність постійного часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті від напруги колектор-база при IE = 5 мА, t ат = (25±10) °С для КТ315А Рисунок 17 – Залежність постійного часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті від напруги колектор-база при IE = 5 мА, t ат = (25±10) °С для КТ315Е, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р Рисунок 18 – Залежність постійного часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті від струму емітера при U CB = 10 В, f = 5 МГц, t атв = (25±10) °С для
    КТ315А